山西天成半導體材料與您相約江蘇!2025第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會
隨著科學技術的飛速發展,半導體材料的革新速度也進一步加快。當前,碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透,已成為全球半導體產業的前沿和制高點。同時,我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。
近年來,我國在SiC材料領域取得了顯著進展,但與國際先進水平相比,在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質量穩定性等難題;晶圓加工方面,則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰。在當前倡導節能減排的大趨勢下,快速穩定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題,才能夠更好地占據未來碳化硅市場。
在此背景下,中國粉體網將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會,大會將匯聚國內行業專家、學者、技術人員、企業界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。山西天成半導體材料有限公司作為參展單位邀請您共同出席。
山西天成半導體材料有限公司成立于2021年8月,由多位碳化硅(SiC)領域博士及具有頭部生產企業任職經歷的業內一線人員發起,是一家專注于第三代半導體碳化硅(SiC)襯底材料研發、生產及晶體生長裝備制造的高新技術企業。2023年,榮獲“第三代半導體年度新銳企業”。
公司現已形成了碳化硅(SiC)單晶爐制造、碳化硅(SiC)粉料制備、碳化硅(SiC)單晶生長和村底制備等完整的生產線,公司產品以6、8英寸導電型和半絕緣型碳化硅(SiC)襯底為主,產品質量數據達到國內領先水平,并可批量生產。
公司具備成熟科研團隊、穩定量產工藝、迭代技術儲備,立足于自主研發,堅持產業創新,突破了缺陷抑制、快速生長和籽晶處理等關鍵技術,形成了具有自主知識產權的完整技術路線。公司秉承'創新·高效·堅韌·務實”的企業精神,向“助力中國半導體產業健康持續發展”的企業愿景不斷邁進。
產品介紹
1、鍵合機
2、電阻爐
3、8英寸N型碳化硅晶錠
產品詳情
以高純度碳化硅粉料為原料,使用自主研制的晶體生長爐,采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 成功生長出8英寸碳化硅晶錠
4、導電型襯底
產品詳情
6英寸N型導電型碳化硅襯底主要應用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機、光伏逆變、脈沖電源等領域,具有降低設備能量損耗、提升設備可靠性、縮小設備體積、提升設備性能等優勢,在制作電力電子器件方面有著不可替代的優勢。
主要應用于電力電子器件新能源汽車-高速充電、降低能耗、縮小空間
高壓輸變電站-高壓電能轉換,降低能耗
白色家電-提升可靠性,高效能
高速列車-高壓電能轉換,高效能源利用
電機-節能減耗,高效能源利用
光伏逆變-降低能源損耗,提升可靠性
脈沖電源-戰略設施,確保國防安全
會務組
聯系人:段經理
電話:13810445572
郵箱:duanwanwan@cnpowder.com
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