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合肥露笑半導體材料與您相約江蘇！2025第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會

隨著科學技術的飛速發展，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透，已成為全球半導體產業的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。

近年來，我國在SiC材料領域取得了顯著進展，但與國際先進水平相比，在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質量穩定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰。在當前倡導節能減排的大趨勢下，快速穩定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題，才能夠更好地占據未來碳化硅市場。

在此背景下，中國粉體網將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會，大會將匯聚國內行業專家、學者、技術人員、企業界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。合肥露笑半導體材料有限公司作為參展單位邀請您共同出席。

合肥露笑半導體材料有限公司成立于2020年，坐落于大湖名城——安徽合肥。公司目前注冊資金5.75億元，是一家專注第三代功率半導體材料碳化硅晶體生長、襯底片、外延片研發、生產和銷售的高科技企業。

淵源于露笑科技藍寶石深厚的技術積淀、引進國內最早和最鼎尖的從事碳化硅晶體生長研究的陳之戰博士技術團隊，公司突破了高質量碳化硅晶體生長、高幾何精度及近零損傷表面加工關鍵技術，掌握了制造碳化硅長晶爐的核心技術、襯底加工和清洗的系統解決方案，產品參數達到了P級標準，已通過外延廠家批量驗證。

公司將全力布局碳化硅產業，積極進行自主知識產權申請和保護，加強關鍵技術研發和應用，致力于打造“晶體生長——襯底——外延”一體化產業鏈，打破國外長期行業技術封鎖和壟斷，為我國解決“卡脖子”技術工程貢獻力量，以推動我國第三代功率半導體產業發展。

產品介紹

1、SiC襯底片

新建碳化硅襯底片產業化項目對于滿足國內外快速增長的6英寸、8英寸級別的碳化硅襯底片市場需求，促進襯底片質量與成品率水平的提升將發揮較為重要作用。

2、SiC晶體

碳化硅作為C和Si穩定的化合物，其晶格結構由致密排列的兩個亞晶格組成，每個Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強四面體sp3鍵結合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現象，已經發現SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。最常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型體具有不同的電學性能與光學性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，熱導率約為Si的4.4倍，臨界擊穿電場約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍。SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件的優選材料，可應用于大功率的電子轉換器及汽車馬達等領域的極端環境中。另外，采用SiC所制備的發光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍光到紫光的波段，在光信息顯示系統及光集成電路等領域中具有廣闊的應用前景。

3、PVT晶體生長爐