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上海比朗儀器制造與您相約江蘇！2025第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會

隨著科學技術的飛速發展，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透，已成為全球半導體產業的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。

近年來，我國在SiC材料領域取得了顯著進展，但與國際先進水平相比，在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質量穩定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰。在當前倡導節能減排的大趨勢下，快速穩定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題，才能夠更好地占據未來碳化硅市場。

在此背景下，中國粉體網將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會，大會將匯聚國內行業專家、學者、技術人員、企業界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。上海比朗儀器制造有限公司作為參展單位邀請您共同出席。