段瑞飛 副研究員
| 專家姓名: | 段瑞飛 | 職務: | ||
| 職稱: | 副研究員 | 專業類別: | ||
| 研究方向： | ||||
化合物半導體外延以及其在氮化物LED等光電子器件中的應用，涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生長III-V族化合物，主要包括氮化物的同質襯底、LED外延材料以及LED器件制備等領域。 |
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| 自我介紹： | ||||
1975年6月出生。1997年于內蒙古大學物理系獲得理學學士學位，2000年于北京科技大學材料物理系獲得工學碩士學位，2003年于中國科學院半導體研究所獲得工學博士學位。2003－2005年在中國電子科技集團公司五十五所從事材料生長工作。2005年4月至今在半導體所工作。 |
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| 所在單位: | 中國科學院半導體研究所 | |||
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