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臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)
臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)

參考價格

面議

型號

HCVD-060609-SIC

品牌

頂立科技

產(chǎn)地

湖南

樣本

暫無
湖南頂立科技股份有限公司

金牌會員

|

第13年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

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核心參數(shù)
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結(jié)氣氛:

    真空
  • 溫控精度:

    ±7.5~±10
  • 最高溫度:

    1500
  • 額定溫度:

    1500
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臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)

產(chǎn)品描述:

臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復(fù)合材料制備等

應(yīng)用范圍:

外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導(dǎo)體坩堝、陶瓷基復(fù)合材料等


臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)技術(shù)特征

采用先進的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動范圍小;

全密閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;

多通道工藝氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;

多級高效尾氣處理系統(tǒng),能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;

可選配新設(shè)計的防腐蝕真空機組,持續(xù)工作時間長,維修率極低;

使用工藝氣氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。


臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號HCVD-060609-SICHCVD-101015-SICVCVD-121220-SICHCVD-151530-SICHCVD-252035-SIC
工作區(qū)尺寸W×H×L(mm)600×600×9001000×1000×15001200×1200×20001500×1500×30002500×2000×3500
**溫度(℃)15001500150015001500
溫度均勻性(℃)±7.5±7.5±10±10±10
極限真空度(Pa)1-1001-1001-1001-1001-100
壓升率(Pa/h)0.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整,不作為驗收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。


臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)配置選擇

結(jié)構(gòu)形式:臥式-單開門/雙開門;立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動/自動

爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì):碳?xì)?石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈

加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC/金屬

熱電偶:K/N/C/S分度號

真空泵:機械泵組/耐腐蝕泵組

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10分

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10分

性價比

10分
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