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ALE原子層刻蝕
ALE原子層刻蝕

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ALE原子層刻蝕

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英國

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牛津儀器科技(上海)有限公司

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我們的設備和工藝已通過充分驗證,正常運轉時間可達90%以上,一旦設備安裝完畢,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場應用廣,包括但不限于: MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性,可用于研究和開發,通過打造質量滿足生產需求。


PlasmaPro 100 ALE 的特點:

  • 準確的刻蝕深度控制;

  • 光滑的刻蝕表面

  • 低損傷工藝

  • 數字化/循環式刻蝕工藝——刻蝕相當于ALD

  • 高選擇比

  • 能加工**200mm的晶圓

  • 高深寬比(HAR)刻蝕工藝

  • 非常適于刻蝕納米級薄層

  • III-V族材料刻蝕工藝

  • 固體激光器InP刻蝕

  • VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

  • 射頻器件低損傷GaN刻蝕

  • 硅Bosch和超低溫刻蝕工藝

  • 類金剛石(DLC)沉積

  • 二氧化硅和石英刻蝕

  • 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓

  • 高質量PECVD沉積的氮化硅和二氧化硅,用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途

  • 用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕


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云學院邀請函 | 寬帶臺式核磁助力科研及教學

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