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有了在刻蝕工藝發展上無比廣泛的經驗和我們應用工程師的支持， 牛津儀器向世界范圍內的生產商和研發者提供刻蝕工藝解決方案的經驗向我們提供了強大的刻蝕工藝庫和刻蝕工藝能力。

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化合物半導體

刻蝕AlGaN/GaN/AlN—刻蝕氮化鋁鎵

深度刻蝕GaP—感應耦合等離子體刻蝕磷化鎵

刻蝕GaAs/AlGaAs—刻蝕砷化鎵/砷化鋁鎵

刻蝕GaSb—刻蝕銻化鎵

刻蝕GaN—刻蝕氮化鎵

刻蝕InSb—刻蝕銻化銦

刻蝕InP/InGaAsP—刻蝕磷化銦/銦鎵砷磷

刻蝕InGaAlP—刻蝕鋁鎵銦磷

刻蝕InP—刻蝕磷化銦

刻蝕InAlAs—刻蝕砷化銦鋁

刻蝕InP/InGaAsP—刻蝕磷化銦/銦鎵砷磷

刻蝕ZnSe—反應離子刻蝕硒化鋅

電介質

刻蝕(Ta2O5)—五氧化二鉭

刻蝕Al2O3—刻蝕氧化鋁—感應耦合等離子體刻蝕藍寶石

GST刻蝕- 鍺銻碲化物的ICP刻蝕技術

感應耦合等離子體刻蝕Bi2Te3—刻蝕碲化鉍

反應離子刻蝕ITO—刻蝕銦錫氧化物

干法刻蝕LiNbO3—刻蝕鈮酸鋰

干法刻蝕LiTaO3—刻蝕鉭酸鋰

刻蝕PZT—刻蝕鋯鈦酸鉛

刻蝕PbSe—刻蝕硒化鉛

刻蝕SiC—刻蝕碳化硅

金屬

刻蝕Al—感應耦合等離子體刻蝕鋁

濺射刻蝕Au—濺射刻蝕金

刻蝕Cr—刻蝕鉻

Cu刻蝕（反應離子刻蝕）—刻蝕銅

刻蝕Mo—刻蝕鉬

刻蝕Nb（反應離子刻蝕，感應耦合等離子體）—刻蝕鈮

刻蝕Ni—刻蝕鎳

離子束刻蝕Ni—刻蝕鎳鉻合金

濺射刻蝕Pt—濺射刻蝕鉑

刻蝕Ti—超大刻蝕深度

刻蝕Ta—刻蝕鉭

刻蝕W—刻蝕鎢

TiN的各向異性刻蝕—刻蝕氮化鈦

WSi刻蝕—硅化鎢刻蝕

有機物

刻蝕PMMA—刻蝕聚甲基丙烯酸甲酯

感應耦合等離子體刻蝕BCB—刻蝕苯并環丁烯

刻蝕金剛石—金剛石的刻蝕

刻蝕聚酰亞胺—聚酰亞胺的刻蝕

聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蝕

刻蝕PR—刻蝕光刻膠

硅烷化光刻膠的干法顯影（感應耦合等離子體-反應離子刻蝕）—硅烷化光刻膠

硅

博施刻蝕Si—博施刻蝕硅

低溫刻蝕Si—低溫刻蝕硅

混合刻蝕Si—八氟環丁烷-六氟化硫刻蝕硅

HBr刻蝕Si—溴化氫刻蝕硅

各向同性刻蝕Si—硅的各向同性刻蝕

刻蝕SiGe——刻蝕鍺硅

絕緣層上的硅(SOI)的多層刻蝕