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用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗，提高先進工藝的晶圓邊緣良率
高刻蝕精度，刻蝕寬度大小可調
自主**技術可做到更精準高效的晶圓對準，控制精度高、均勻性高，可實現精準邊緣刻蝕
高產能，低化學品消耗
設備和工藝可擴展至10nm以下工藝技術節點
對下層材料刻蝕具有高選擇比，對晶圓無損傷的特點
出色的晶圓邊緣清洗能力，更好的顆粒控制
可靈活應用于多種襯底材料，包括重摻雜片、Bonding 片、超薄片等
適用于12寸晶圓邊緣清洗
*多可配置4個Lord Port
可配置12個工藝腔體
真空夾盤對晶圓進行夾持
可對晶圓正背面邊緣進行清洗，*多可配備5種藥液進行清洗工藝
每個腔體均配置高精度的晶圓對中單元
可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元
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