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基于陶瓷材料技術所開發的氮化硅制品具有高強度，高韌性，高導熱率，根據這些特性，產品被廣泛用于要求擁有高信賴性材料的功率半導體基板領域。
和氧化鋁基板或氮化鋁基板相比，約有兩倍以上的抗彎強度。
和氧化鋁基板或ZTA基板相比、擁有三倍以上的熱導率。
高電絕緣性
熱膨脹系數與硅相近
氮化硅基板尺寸
主要項目 | 規格 | 指標 |
基板尺寸mm | 100*100，114.3*114.3 ,138*190.5 | ±0.1mm |
基板厚度 | 0.254，0.32,0.5,0635,1.0 | ±0.02mm |
氮化硅產品性能：
主要項目 ltem | 單位 Unit | 指標 Test Standard | ||
顏色 Colour | s…… | 灰色 | ||
密度 Density | G/cm3 | 3.22 | ||
熱導率 Thermal conductivity | 25℃ W/(m.k) | 80～85 | ||
介電常數 Dielectric constant | 1 MHz | 8～10 | ||
擊穿強度 | Kv/mm | ≥15 | ||
抗折強度 Flexural Strength | Mpa | ≥800 | ||
維氏硬度 Vickers hardness | Gpa | ≥15 | ||
翹曲度 warpage | (長邊）‰ | ≤2 | ||
表面粗糙度 Surface roughness | um | 0.2～0.4 | ||
熱彭脹系數 Coefficient of thermal expansion | 10-6 | 20～300℃ | 2.7 | |
300～800℃ | 3.2 | |||
體積電阻率 | 20℃.ù.cm | ≥1014 | ||
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