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設備概述
氮化鋁晶體生長爐主要用于物理氣相傳輸法（PVT）生長大尺寸、高質量AlN單晶。
設備優勢
1、建立溫場與AlN半導體晶體生長動力學的精準關系，揭示晶體結晶和動力學過程，解決擴徑難、易開裂等生長難點科學問題。
2、優化坩堝和溫場梯度結構的設計，實施動態檢測晶體生長過程和溫場邊界條件，自主搭建國際上**大尺寸AlN單晶生長爐。
3、解析AlN晶體缺陷結構和性能參數之間的關系，建立高質量、低缺陷AlN半導體單晶的退火工藝，有力解決AlN晶體缺陷富集的難點問題。
設備參數
| 反應器尺寸 | 直徑500mm x 900mm | 電源頻率，HZ | 50±1 |
**操作溫度2600° C （氬氣中） | 相數 | 3 | |
| 工作氣體 | 氬氣，氮氣 | 壓縮氣體，Mpa | 0.6 |
| **真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率，kw | 50 |
| 電源功率 kw | 75kw | 晶體生長天數，天 | 7 |
| 電源工作頻率 kHz | 15kHz | 氮氣消耗量，m3/爐 | ≤6 |
| 自動化參數控制系統 | 電極接法 | △ | |
| 冷卻系統 | 20kW冷卻裝置（閉合電路） | 設備外形尺寸（長x寬x高）mm | 1920x920x2790 |
| 電源電壓，V | 380±19 | **電流，A | 90 |
| 輸出電壓，V | 500-550 |
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