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YB-FM-GaN品牌
上海研倍產地
上海樣本
暫無品級：
4N-5N制作方法：
氣相沉積法密度（kg/m3）：
6.0-6.3 g/cm3形狀：
不規則狀純度：
99.99%～99.999%目數：
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1、產品信息
氮化鎵是一種III-V族寬帶隙半導體材料,具有優異的電子和光學性能。
它在常溫下相對穩定,但在高溫和腐蝕性環境中可能發生化學反應。
氮化鎵晶體結構為六方晶系,呈現典型的蛋白石結構。
2、產品規格
1、樣品測試包裝客戶指定（＜1kg/袋裝）
2、樣品產品包裝（1kg/袋裝）
3、常規產品包裝（1kg/2kg/5kg/10kg）
備注：內：充惰性氣體 外：鋁箔袋真空。可根據客戶要求指定包裝。
3、產品概述
產品通過“選用凈化原料+生產純化工藝+品控智能控制”制備生成，產品具有技術含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學性能穩定的特點。
4、產品用途
氮化鎵廣泛應用于制造高效率的發光二極管(LED)、激光器和功率電子器件。
它在太陽能電池、微波通信、傳感器和電力變換等領域也有重要應用。
此外,氮化鎵在某些特殊的光催化、電磁屏蔽和熱管理等領域也有潛在用途。
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