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      4英寸導電型襯底
      4英寸導電型襯底

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      面議

      型號

      4英寸導電型襯底

      品牌

      天科合達

      產地

      北京

      樣本

      暫無
      北京天科合達半導體股份有限公司

      會員

      |

      第2年

      |

      生產商

      工商已核實

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      產品概述

      導電型碳化硅襯底是導電型碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。單晶襯底薄片作為第三代半導體的重要原材料,經過同質外延生長、晶圓制造、封裝檢測等環節,可制成碳化硅基功率器件,是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。為滿足客戶對小尺寸產品的多樣化需求,我們依舊保留部分4英寸及以下小尺寸產品的產能,確保供應無憂。


      車規級(Z級)

      研發型(D級)

      直徑99.5 mm-100.0 mm
      晶型4H
      厚度350 μm±15 μm
      晶片方向偏轉角度:向<11-20>偏轉 4.0° ± 0.5° 
      微管密度≤ 0.2 cm-2
      電阻率0.015-0.024 Ω·cm
      主定位邊方向平行于{10-10} ±5.0°
      主定位邊長度32.5 mm ± 2.0 mm
      次定位邊長度18.0 mm ± 2.0 mm
      次定位邊方向硅面朝上:從主定位邊順時針旋轉 90° ± 5.0°   
      邊緣去除3 mm
      局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm


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      產品質量

      10分

      售后服務

      10分

      易用性

      10分

      性價比

      10分
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      4英寸導電型襯底信息由北京天科合達半導體股份有限公司為您提供,如您想了解更多關于4英寸導電型襯底報價、型號、參數等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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