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前   述：立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)是一種碳化硅晶體結(jié)構(gòu)屬于立方晶系。它具有與金剛石相似的晶體結(jié)構(gòu)，但晶格常數(shù)和原子間距略有不同。3C-SiC的晶格常數(shù)為a = 4.358A ，每個(gè)晶胞包含兩個(gè)碳原子和一個(gè)硅原子。在晶體結(jié)構(gòu)中，碳原子和硅原子以等間距排列并形成立方晶格。它的晶體結(jié)構(gòu)空間群為F-43m。在晶體結(jié)構(gòu)中，碳原子和硅原子交替排列形成連續(xù)的Si-C鍵。3C-SiC的晶體結(jié)構(gòu)是立方晶系的，具有碳原子和硅原子交替排列的特點(diǎn)。

     立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)性能與金剛石接近，光潔度及研磨拋光性能遠(yuǎn)超α-SiC(黑碳化硅和綠碳化硅)和白剛玉系列。在1600℃以上溫度時(shí)立方碳化硅（β-SiC）仍具有較高的強(qiáng)度。

HP-SiC

高純度碳化硅

3C-SiC

立方碳化硅

3C-Silicon Carbide

純    度：2N-6N（**純度：99.99994%）

結(jié)    構(gòu)：3C (β-SiC）屬于立方碳化硅

特    點(diǎn)：3C-SiC碳化硅微粉具體吸波性能好、晶型完整、導(dǎo)熱系數(shù)高，電子遷移率、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)

度、相對(duì)介電常數(shù)等電學(xué)                  

性能各向同性等特點(diǎn)，同時(shí)還具有高硬度，耐高溫，耐熱震，耐腐蝕，耐輻射等優(yōu)良性能。

用    途：廣泛應(yīng)用于電子、信息、精密加工、**、航空航天、高級(jí)耐火材料、特種陶瓷材料、

高級(jí)磨削材料和復(fù)合增強(qiáng)添加材料等領(lǐng)域。

粒度規(guī)格：

工業(yè)級(jí)3C-SiC粉料純度檢測(cè)值

化學(xué)成分：