非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
其他燒結氣氛：
真空溫控精度：
1℃最高溫度：
1450額定溫度：
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真空烤盤爐（Bake爐）是MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）關鍵配合工藝裝備，專用于清除石墨載盤（碳化硅涂層）表面殘留的氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物雜質。通過高溫真空技術，可實現載盤表面污染物的高效分解與蒸發，恢復石墨載盤的潔凈度，延長使用壽命，降低LED、射頻芯片、激光器等半導體制造企業的耗材成本。
■ 高產能
¨ 有效工作區域達到710X710X1600mm,適用于
MOCVD各種石墨盤的清理。
¨ 采用高強度石墨板，可承載更多產品。
¨ 降低單位產品的能源消耗。
■ 溫度、氣流均勻
¨ 獨特的上下兩區控溫設計，整爐溫度均一
性達到 ≤±3℃。
¨ 優化設計的進氣系統，保證氣流流動更均
勻。
¨ 均勻的熱場和氣流同時協作，保證石墨盤
清理更均勻，干凈。
■ 高配置
¨ 采用日本原裝進口石墨硬氈，揮發物更少，
烘烤氣氛更純凈。
¨ 美國熱電偶，日本質量流量計，真空計等。
¨ 全面革新的溫控系統，人機界面。
LED芯片制造
· GaN基LED外延片：藍光/白光LED生產后石墨托盤去污；
· Micro-LED產線：高精度載盤維護，保障微米級外延均勻性。
化合物半導體制造
· 射頻器件（GaAs）：5G基站放大器、毫米波芯片載盤再生；
· 光通信激光器（InP）：DFB/EML激光器外延托盤清洗。
研發與代工服務
· 半導體研究院所、晶圓代工廠的MOCVD設備配套維護；
· 第三代半導體（SiC、GaN）功率器件產線耗材管理。
真空烤盤爐 | VB-1600 |
工作尺寸 mm | 710*710*1600 |
**溫度 ℃ | 1450 |
使用溫度 ℃ | 1400 |
溫度分布 ℃ | 幅值≤6（±3） |
極限真空 Pa | 1 |
電源容量 KVA | 170 |
使用氣體 | N2,N2/H2 Mix |
設備尺寸 mm3 | 3517X3300X2400 |
聯系方式：鄒先生，13567******
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