2003年12月中旬在馬里蘭大學進行的一項研究顯示，半導體碳納米管在室溫下傳輸電流的能力好于任何已知的其它物質。這一發現是納米管能夠成為新一代功能強大的電子產品基礎的最新證據。

　　一段時間以來，納米管的導電性已經為人們所關注，但馬里蘭州大學超導研究中心的實驗結果顯示，碳納米管能夠制造出比以前想象得更好的晶體管。由該大學納米電子研究中心的負責人邁克爾領導的一組研究人員制造了電子流動性比以前的半導體材料高25%、比計算機芯片用硅晶體管高70%的晶體管。半導體材料導電率的記錄是1955年由銦-銻化合物創下的。邁克爾在一份聲明中指出，在使納米管成為新一代功能更強大、尺寸更小的電子產品的基礎方面，這是重要的一步。

　　該研究小組表示，他們在實驗中使用了長度為0.03厘米的碳納米管，這一長度是在以前的半導體實驗中使用的納米管長度的100倍。

　　在未來十年內，納米管可能取代硅成為計算機處理器和內存芯片內部的晶體管。納米管還可以用來在光纖中傳輸光，或者向特定的細胞中傳輸微型機器。但是，大規模生產納米管目前仍然是一個挑戰，目前也是一個發展緩慢和代價高昂的過程。

　　由于存在二個因素，碳納米管的特性是非常明顯的：其尺寸使得它能夠被用作一維的物體；以及碳元素本身所固有的特性。由于一維的納米管從本質上看沒有高度或者寬度，電子能夠在這種材料上流暢地傳播，這意味著，除非材料上存在什么缺陷，電子不會分散或損失掉。