中國粉體網訊  捷捷微電(300623)2019年度業績網上說明會周二下午在全景網舉辦，公司董事長、總經理黃善兵表示，公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，截止至2020年4月28日，公司擁有碳化硅、氮化鎵相關實用新型專利4件，公司還有4個發明專利，1個實用新型專利尚在申請受理中。

　　此外，公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產品仍在持續研究推進過程中，尚未進入量產階段。

　　公司目前有兩個團隊，公司于2017年成立的MOSFET事業部，研發團隊設在無錫市傳感器產業園，該團隊主要研究功率MOS；上海捷捷團隊：創始團隊由來自業界國際知名半導體公司的核心研發和管理人員組成，將堅守品質、持續創新，充分發揮技術和經驗優勢，把低功耗、節能環保和高頻高效功率器件作為技術創新的突破目標，著力攻克 MOSFET SGT 等關鍵核心技術，助力整個捷捷微電平臺的技術和產業創新發展。產品應用端將努力抓住替代進口存量市場，并深入 5G、汽車電子、光伏、物聯網、工業控制和智能電子化等新需求。

（中國粉體網編輯整理/初末）

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