中國粉體網訊  據財聯社報道，比亞迪半導體產品總監楊欽耀日前表示，比亞迪車規級的IGBT已經走到5代，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發當中。目前在規劃自建產線，預計到明年有自己的產線。

12月21日，比亞迪發布投資者調研公告，回答了中信證券等調研者關于IGBT、比亞迪半導體等相關的問題。

比亞迪透露，在比亞迪市場化發展的戰略布局下，比亞迪半導體作為中國最大的車規級IGBT廠商，僅用42天即成功引入紅杉資本中國基金、中金資本、國投創新等知名投資機構，邁出了比亞迪市場化戰略布局的第一步。后續比亞迪將加快推進比亞迪半導體分拆上市工作，并著手培育更多具有市場競爭力的子公司實現市場化運營，不斷提升公司整體價值。

（中國粉體網編輯整理/山川）

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