中國粉體網訊  據日本化學工業日報報道，三菱化學與日本制鋼所合作研發的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術，經確認結晶成長已達4寸。氮化鎵是鎵與氮的化合物，是實現超高效率元件的關鍵材料，業界相當期待正式普及化。今后將以大型實驗設備進行反覆驗證，預計2022年初推至量產，可望在2030年度成長至數百億規模的大型事業。相關人員表示，原先評估量產要到2023年以后，因開發狀況順利且超過預期，將提前投入市場。

這項研發源自于新能源產業技術總合開發機構(NEDO)推動的「實現低碳社會之次世代功率電子計劃」補助事業，并在GaN的結晶成長技術上展現成果。實證采用2021年5月剛竣工的全球最大規模GaN基板制造實證設備，加上獨家開發的「SCAAT(Super Critical Acidic Ammonia Technology)-LP」的制造技術，得以制作出高品質且低成本的GaN基板，并使之成長至4寸。比起試生產所用的設備，大型實證設備在規模上有大幅度的提升，因此可制造更大量的GaN基板。

（中國粉體網編輯整理/長安）

注：圖片非商業用途，存在侵權請告知刪除！