日前從廊坊市生產力促進中心了解到，由中科院理化技術研究所研發的化學法制備碳化硅（SiC）粉體新工藝可以批量生產高質量的碳化硅粉體，滿足高純度、高密度、高均勻性等SiC粉體高端市場需求。
                
    據介紹，碳化硅作為一種新材料，因其具有優異的耐磨性、耐熱性、耐腐蝕和抗氧化性等特點，廣泛應用于軍工、電子、冶金、航空航天、汽車等領域。而高質量的β-SiC超細粉體更是制造高級陶瓷材料和電工電子材料的重要原料，也是價格昂貴的超精密研磨材料。
                
    用傳統的固相法生產碳化硅，存在反應時間長、產品純度低、生產耗能高等缺點。而溶膠—凝膠法也存在化學過程復雜，不利于環保以及粉體易發生團聚等問題。化學法碳化硅粉體新工藝選擇廉價的原料作為硅原和碳原，用軟化學方法合成碳硅前驅體，形成微反應體系，通過煅燒合成高品質的SiC超細粉體。新工藝使合成時間大為縮短，燒結溫度也大大降低，產品無須酸洗、精加工粉碎，即可直接得到高質量的超細粉體。
                
    我國每年碳化硅出口量約占世界需求量一半左右，但出口產品多為粗產品，每噸價格不到4000元。而在國際市場上，超細SiC粉體價格為8萬元/噸，微米級SiC粉體為2萬~3萬元/噸。