中國粉體網訊  9月20日，日本德山株式會社宣布將在柳井市的先進技術商業化中心開設一項研究設施，該設施用于研究功率半導體和高輸出LED絕緣散熱基板用高散熱氮化鋁填料。

近年來，隨著電子設備的小型化和高密度安裝，控制設備功耗的負擔越來越重，產生的熱量增加會損害設備的性能。據了解，氮化鋁具有高熱導率、高強度、高電阻率、密度小、低介電常數、無毒、以及與Si相匹配的熱膨脹系數等優異性能，是最具發展前途的一種陶瓷基板材料。且氮化鋁作為填料在樹脂中具有極好的流動性，因此在填充樹脂時可以增加氮化鋁填料的填充量，從而大大提高樹脂的導熱性。

氮化鋁粉體的制備極其關鍵，目前主要工藝有直接氮化法和碳熱還原法，此外還有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反應合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。德山株式會社采用還原氮化法生產出雜質極少的優質產品，年生產能力達840噸，為世界第一，目前其已確立了氮化鋁粉末全球領先的地位，占全球市場75%的份額。

資料來源：德山株式會社官網、粉體網整理

（中國粉體網編輯整理/山川）

注：圖片非商業用途，存在侵權告知刪除