中國粉體網訊  科友半導體官微消息，科友半導體8英寸SiC中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。

2023年9月，科友首批自產8英寸SiC襯底于科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線，這標志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產業化方面邁出了堅實一步。

批量生產的8英寸碳化硅晶體

科友首批8英寸碳化硅襯底

科友半導體突破了大尺寸、高厚度、低應力碳化硅晶體制備關鍵技術，基于設備、原料、熱場、工藝方面的優勢積累，通過提高原料及氣相組分比例穩定性、維持長期生長的穩定溫場和濃度場條件、調控晶體生長速率和均勻性，實現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩定在15mm以上。

此外，低缺陷、高質量是襯底產品的核心競爭力之一。科友半導體通過粉料純化預結晶處理、應用蒸鍍碳化鉭（TaC）蒸鍍石墨結構件、熱場結構設計、籽晶鍍膜背保護等多項獨家技術，在實現零微管缺陷的基礎上進一步降低了位錯缺陷密度，6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個cm^-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個cm^-2，位錯缺陷密度＜5000個cm^-2，晶體質量處于行業領先水平。

科友半導體作為一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成自主知識產權，實現先進技術自主可控。同時，科友基于長期自主研發，依次開發了1-4代感應長晶爐和1-3代電阻長晶爐，成為國內第一家同時擁有8英寸感應長晶爐和電阻長晶爐，并成功制備出8英寸碳化硅襯底的企業。

來源：科友半導體、CINNO

（中國粉體網編輯整理/空青）

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