中國粉體網訊  專利摘要顯示，本發明涉及導熱材料技術領域，尤其涉及IPC C08K3領域，更具體的，涉及一種超高導熱立方氮化硼基導熱墊片及其制備方法。按重量份計，所述墊片的制備原料包括：立方氮化硼粉體35‑150份，金屬氧化物粉體30‑105份，金屬氮化物粉體15‑40份，改性劑0.2‑0.6份，乙烯基硅油2‑8份，交聯劑0.1‑0.8份，抑制劑0.1‑0.9份，催化劑0.2‑1份。所述改性劑包括辛基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氮烷，所述辛基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氮烷重量比為1：(0.2‑2)，可提高體系中多種填料間的分散性能，同時控制硬度shore 00在20左右，導熱系數達到18W(m·K)以上。

（中國粉體網編輯整理/長蘇）

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