中國粉體網訊  近日，法國半導體金剛石初創公司Diamfab和等離子體輔助化學氣相沉積 （CVD）人造金剛石初創公司HiQuTe Diamond宣布建立戰略技術合作伙伴關系，共同致力于人造金剛石半導體技術的開發。此次合作涵蓋了從襯底生產到電子元件制造的關鍵階段，旨在通過摻雜層的外延技術，推動金剛石半導體在工業領域的廣泛應用。

據了解，Diamfab將負責使用先進的晶體生長工藝對摻雜層進行外延生長，以及制造高性能組件。HiQuTe Diamond將貢獻其在生產高質量金剛石襯底方面的專業知識，這些襯底經過優化，可最大限度地提高電力電子設備的性能。

圖源：Diamfab官網

兩家公司表示，由于地理位置接近和行業敏捷性，他們有信心加快技術迭代周期，迅速實現前所未有的技術和財務績效。這一合作將使金剛石半導體技術更快地成為工業現實，為電氣化的廣泛采用和經濟部門的脫碳提供有力支持。

Diamfab公司的首席執行官Gauthier Chicot表示：“金剛石半導體的性能水平比基于傳統材料的組件高出10-40倍，是實現電氣化和脫碳目標的關鍵。通過與HiQuTe Diamond合作，我們擁有意愿、技術和人力資源，在法國創造這個卓越的行業。”

HiQuTe Diamond公司的首席執行官Florent Alzetto也指出：“等離子體輔助CVD生長工藝可以生產出特別適用于電力電子要求苛刻的硼摻雜金剛石。這種可持續的工藝不僅確保了對物理特性的嚴格控制，還能有效應對性能挑戰。我們和Diamfab的專業知識融合，為應對性能和能源效率方面的全球工業挑戰提供了前所未有的機會。”

此前，Diamfab公司就在金剛石芯片技術上取得了進展，2024年3月獲得870萬歐元首輪融資，由Asterion Ventures、法國政府等投資者支持。同時，Diamfab在金剛石外延和摻雜技術上取得突破，擁有四項專利，專注于金剛石層生長、摻雜及電子元件設計。Diamfab的金剛石技術實現高電流密度和擊穿電場，超越SiC等現有材料，計劃2025年實現4英寸晶圓生產。

根據計劃，兩家公司將開始合作，使用Diamfab優化的金剛石外延技術，在HiQuTe Diamond襯底上制造第一個系列的垂直肖特基二極管。預計第一批原型將于2025年春季推出，這將標志著金剛石半導體技術在工業應用方面的重要突破。

參考來源：

Diamfab官網，中國粉體網

（中國粉體網編輯整理/輕言）

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