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突發!關鍵半導體材料斷供!氧化鋁等材料亟需突破!


來源:中國粉體網   山川

[導讀]  CMP(化學機械拋光)拋光液大廠日本AGC(原旭硝子株式會社)出現斷供情況。

中國粉體網訊  近日,半導體行業傳來一則重磅消息:CMP(化學機械拋光)拋光液大廠日本AGC(原旭硝子株式會社)出現斷供情況。據悉,其Fab1 DSTI slurry(料號:M2701505,AGC - TW)已暫停供貨,這一突發狀況引起了業內人士的關注。


圖片來源:AGC


分析指出,此次斷供的直接原因是中國臺灣地區針對半導體關鍵化學品的最新出口審查政策,要求對特定高端材料出口進行更嚴格管控,涉及先進制程所需的部分型號產品。而AGC在臺設有生產基地,主要面向亞洲市場供貨。


受此影響,下游部分大陸晶圓廠緊急評估替代方案,部分開始加大從其他海外供應商及國產品牌采購,但短期內可能仍面臨供應緊張。


CMP,晶圓“超平整舞臺”


隨著集成電路技術的發展,特別是進入亞微米工藝之后,由于特征尺寸的減小和高密度器件的實現,集成電路材料層之間的平坦度變得越來越關鍵,對半導體襯底的超精密表面處理效率和表面質量的要求也越來越高。


當前,化學機械拋光技術(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是唯一可以實現全局平坦化的關鍵技術,隨著集成電路元件的最小特征尺寸縮小到 7nm甚至 5nm,CMP 技術在過去的幾十年中得到了突飛猛進的發展,其拋光工藝已達到納米級,被廣泛應用于半導體加工制程,成為納米級集成電路制造的標準過程,促進了集成電路技術和摩爾定律的穩步發展。


在半導體制程中,CMP用于將晶圓表面研磨到極高平整度,為隨后的光刻、蝕刻等環節打好基礎,是先進芯片制造流程中的關鍵步驟。


關鍵材料亟需突破


CMP工藝主要是通過拋光液和待拋光材料之間的化學反應、拋光液中的磨粒和待拋光材料之間的機械作用,使得材料去除并獲得表面全局平坦化。


CMP工藝原理圖


因此,拋光液是CMP工藝的核心耗材之一,其性能直接影響拋光效率和芯片表面質量。


目前全球CMP拋光液市場高度集中,美、日廠商市占率合計超過80%,其中高端型號更是以日本企業為主。盡管國內已有部分企業在低端和中端產品實現替代,但中高端產品自給率仍不足 20%,國產替代需求迫切。


目前中高端拋光液自主可控能力不足很大一部分源自關鍵材料尚未完全實現國產化,以拋光液磨料為例,在CMP中,Al2O3SiO2 CeO2是最為常用的三種磨料,它們負責提供機械力實現晶圓表面材料的去除,是CMP拋光液的關鍵原材料。


然而,國內拋光液企業主要集中在成品拋光液的生產上,在核心磨料生產能力方面仍在努力追趕,高端磨料顆粒主要依賴國外進口,這是制約我國拋光液實現全產業鏈自主可控的關鍵一環。


小結


據悉,中芯國際、華虹半導體等企業的14nm及以下產線,單月拋光液消耗量超千噸,斷供可能導致產線停產風險。某頭部晶圓廠透露,拋光液庫存通常僅維持1-2個月,若斷供持續,Q3產能或縮減10%,形勢非常緊急。


此次斷供事件警示我們,供應鏈安全不僅關乎設備和芯片本身,拋光液等關鍵耗材以及高純氧化鋁等其上游基礎材料同樣是“卡脖子”環節。半導體材料環節必須加速降低對外依賴風險,否則類似困境可能再次上演,阻礙我國半導體產業的長遠發展。


信息來源:半導體封測、微電子制造等


(中國粉體網/山川)

注:圖片非商業用途,存在侵權告知刪除


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作者:山川

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