隨著科學技術的飛速發(fā)展，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透，已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。

近年來，我國在SiC材料領域取得了顯著進展，但與國際先進水平相比，在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當前倡導節(jié)能減排的大趨勢下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。

在此背景下，中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會，大會將匯聚國內(nèi)行業(yè)專家、學者、技術人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。廣州南砂晶圓半導體技術有限公司作為參展單位邀請您共同出席。

廣州南砂晶圓半導體技術有限公司于2018年9月注冊成立，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術企業(yè)，榮獲國家級專精特新“小巨人”稱號。公司創(chuàng)業(yè)初期以山東大學多年來研發(fā)的最新技術成果為基礎，同山東大學徐現(xiàn)剛教授團隊開展全方位產(chǎn)學研合作。

早年在蔣民華院士的指導下，長江學者徐現(xiàn)剛特聘教授帶領團隊歷經(jīng)多年研發(fā)，成功突破了碳化硅單晶生長及襯底制備技術，為碳化硅襯底的國產(chǎn)商業(yè)化奠定了良好的基礎。公司總部設在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟南三大生產(chǎn)基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和村底制備等完整的生產(chǎn)線，公司產(chǎn)品以6、8英寸號電型和半絕緣型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。碳化硅單晶材料作為新基建的戰(zhàn)略性材料，十分重要。公司將立足粵港澳大灣區(qū)，力爭發(fā)展成為全國乃至全球馳名的碳化硅半導體材料公司。

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