中國粉體網(wǎng)訊  2025年8月1日，中國電子材料行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)發(fā)函，批準(zhǔn)發(fā)布團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《晶體生長用高純碳化硅粉體》，并予以公示，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)編號為“T/CEMIA 049-2025”，實(shí)施日期是2025年11月1日。

該團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)適用于純度不低于99.9999wt%（6N）的晶體生長用高純碳化硅粉體，規(guī)定了晶體生長用高純碳化硅粉體的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存。

近年來，制備高純SiC粉料逐漸成為SiC單晶生長領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各項(xiàng)參數(shù)都直接影響單晶生長的質(zhì)量以及電學(xué)性能。而碳化硅襯底使用環(huán)境的不同，生長用粉料合成技術(shù)也存在工藝不同，對于N型導(dǎo)電性單晶生長用粉料，要求純度高、物相單一；而對于半絕緣型單晶生長用粉料，則需要對氮含量進(jìn)行嚴(yán)格的控制。

然而，由于缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，各企業(yè)對粉體指標(biāo)要求不一，導(dǎo)致原料質(zhì)量不穩(wěn)定，阻礙了下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展。因此，由中國電子材料行業(yè)協(xié)會粉體技術(shù)分會提出制定《晶體生長用高純碳化硅粉體》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范碳化硅粉體質(zhì)量，滿足行業(yè)需求，以此推動整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)提升和健康發(fā)展。

該團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布填補(bǔ)了國內(nèi)晶體生長用高純碳化硅粉體標(biāo)準(zhǔn)的空白，通過統(tǒng)一關(guān)鍵指標(biāo)（如純度、雜質(zhì)限值、粒度等），將顯著提升國產(chǎn)粉體質(zhì)量和一致性，降低下游晶體生長環(huán)節(jié)的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)與驗(yàn)證成本，加速國產(chǎn)高純碳化硅粉體的應(yīng)用和替代進(jìn)程，有力支撐我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展。

來源：中國電子材料行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除