中國粉體網訊  為更好地引導和推動重點新材料的產業化和規�；瘧�用，近日，浙江省經濟和信息化廳正式發布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2025年版）》。該目錄中，三項氧化鋁陶瓷材料成功入選。

（1）半導體刻蝕設備用大尺寸氧化鋁陶瓷

性能要求：純度＞99.5%，抗折強度＞350MPa，維氏硬度＞16GPa，介電強度>15KV/mm。

應用領域：電子、半導體制造。

（2）大尺寸半導體級氧化鋁精密陶瓷

性能要求：純度≥99.9%，體積電阻率≥1×10¹⁴Ω·cm（20℃），熱傳導率≥32W/m·K，單片燒結成型尺寸≥2000mm×500mm×50mm，單片燒結成型尺寸公差±0.01mm，抗彎強度≥400MPa。

應用領域：半導體封裝、半導體制造設備、微電子與光電子。

（3）UV-LED 4寸納米級圖形化藍寶石襯底

性能要求：4寸藍寶石襯底，周期 900nm，孔徑 500nm，孔深 300nm。

應用領域：UV-LED。

半導體設備是半導體產業的基礎支撐，半導體設備由腔室內和腔室外組成，在技術要求更加嚴苛的腔室內，往往只有先進陶瓷材料才能勝任，嚴苛的工作環境對先進陶瓷材料性能、硬脆難加工材料精密加工及新品表面處理等方面也要求甚高。

其中，氧化鋁陶瓷部件具有高硬度、高機械強度、超耐磨性、耐高溫、電阻率大、電絕緣性能好等優異性能，能滿足真空、高溫等特殊環境下的半導體制造復雜性能要求，在半導體制造生產線上有著不可替代的重要作用，其應用幾乎覆蓋所有半導體制造設備，是半導體生產設備的關鍵部件。

例如《目錄》中所提半導體刻蝕設備，在刻蝕過程中，鹵素氣體（如CF₄、CHF₃等）與惰性氣體（如Ar、Xe等）通過電離生成的高能等離子體被用于晶片表面的刻蝕。這一過程當中，不僅晶片材料會受到刻蝕，刻蝕設備的內壁和關鍵部件（如噴淋頭、聚焦環和基座）也會遭到刻蝕。但這些零部件的刻蝕一方面會使得半導體器件污染，良品率下降以及設備壽命縮短，另一方面這也會使得刻蝕腔內壁暴露在等離子環境中產生大量懸浮顆粒污染物，這些污染物可能沉積在晶片表面，導致芯片短路等質量問題。在此背景下，如何有效防止設備內壁刻蝕并消除由此產生的顆粒污染，已成為半導體行業需要解決的難題，耐高密度等離子體刻蝕材料的研發變得尤為緊迫。

作為典型的陶瓷材料，Al₂O₃具有高介電強度和優異的耐化學腐蝕性能，在高能等離子體刻蝕環境中仍能保持相對穩定，是較為常用的耐等離子體刻蝕材料之一。

《目錄》中所列“UV-LED 4寸納米級圖形化藍寶石襯底”也是一種氧化鋁材料，即α-Al₂O₃單晶，具有優異的光學性能、機械性能和化學穩定性，具有強度高、硬度大、耐沖刷等特點，可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作，是LED襯底最常用的材料。

（中國粉體網/山川）

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