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晶體生長技術是利用物質(液態、固態、氣態)的物理化學性質控制相變過程，獲得具有一定結構、尺寸、形狀和性能的晶體的技術。

現在，人工合成晶體應用越來越廣泛，已經成為國民經濟和國防科技發展的重要物質基礎。除了人們比較熟悉的水晶、寶石等裝飾用晶體之外，其他如激光晶體、半導體晶體、光電子晶體、非線性光學晶體、超導單晶、鐵電壓電晶體、金屬單晶材料等晶體材料的發展，為科學進步和人類生活水平提高做出了巨大貢獻。

什么是布里奇曼法晶體生長技術？

Bridgeman布里奇曼法晶體生長技術是由Bridgeman于1925年首次提出的，是將預合成材料放入具有單向溫度梯度的生長爐內緩慢地下降，熔融的原料在經過溫度梯度區域后，熔體因為溫度降至熔點以下而冷卻結晶，隨著坩堝的移動，原料將結晶為整塊單晶體。布里奇曼晶體生長法經過幾十年的發展和演變已日趨成熟，具有成本低、用途廣、適應性強和設備簡便等優點，因而被廣泛用于晶體生長領域，尤其適用一致熔融，另外，預合成的原料密封在特制的坩堝內，避免了原料的揮發和泄露，使晶體的成分容易控制，并且管內可實線高真空，避免了氧氣等不確定反應的發生。

Carbolite Gero在晶體生長設備領域有超過三十年的經驗，針對布里奇曼晶體生長技術，專門研發了布里奇曼晶體生長爐，已在國內外有很多成功的經驗和案例，助力很多實驗室生產高質量的單晶，推動了化合物半導體，拓撲絕緣體，凝聚態物理中熵合金高熵合金的晶體生長工作。