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     隨著新能源以及 5G 通信等領域的發展，半導體器件的質量越來越影響到行業發展。電子產品中的半導體器件集成規模和響應頻率越來越高，同時在使用中產生的熱量必然會增長,這就對電子器件的散熱能力提出了新要求。氮化鋁材料的散熱能力優良，相較其他化合物，氮化鋁是強共價化合物。與其他基片材料相比，熱膨脹系數與硅相差不多，強度高且強度受溫度的影響較小，化學性質穩定，可不被銅等金屬侵蝕，是優質半導體器件的最佳材料。氮化鋁器件的性能關鍵在于氮化鋁粉體的質量，而納米粉體又具有獨特的性能表現及納米效應，有助于氮化鋁材料的性能發揮。

氮化鋁制備技術主要有直接氮化法、碳化還原法以及高能球磨法。直接氮化法原料豐富，工藝較簡單但產率低；碳化還原法產品純度高但生產成本高；高能球磨法生產效率高，最適合工業化生產。

高能球磨法是從直接氮化法和碳化還原法的基礎上發展起來的，指在氮氣(氨氣)氣氛下，隨著研磨機“細胞磨”的轉動，攪拌研磨氧化鋁或鋁粉等原料，在細胞磨的輔助作用下發生氮化反應或碳化還原反應生成氮化鋁粉體。機械研磨法容易在研磨時混入雜質，生產出的粉體質量較低，因此，生產時要選用細胞磨這種耐磨以及可以根據粉體成分配置設備材質的研磨機，來保證氮化鋁粉體的質量。

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