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一、實驗背景與目的

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，憑借其高硬度（莫氏硬度9.5）、高導熱性（490 W/m·K）、卓越的耐高溫性（熔點約2700℃）及強耐腐蝕性，在航空航天、新能源、半導體封裝等高科技領域具有不可替代的地位。

近日，綿陽九方智能裝備有限公司憑借自主研發的氣流粉碎機，成功幫助客戶完成了一項突破性實驗：將<2mm的碳化硅原料精準粉碎至D50＜0.9微米，以卓越的技術實力實現了從毫米級到亞微米的超微粉碎。

二、實驗設備及優點

本次實驗采用JFQ-100型氣流粉碎機，該設備集成了超音速多噴嘴加速系統與高精度渦輪分級器，專門針對高硬度、高純度材料的超微粉碎需求而設計。其核心優勢在于：

1.粒徑精準調控：采用智能變頻分級系統，可實時動態調整分級輪轉速，確保成品D50穩定＜1微米；

2.耐磨抗污染設計：粉碎腔特制內襯，耐磨性提升300%，有效避免金屬污染；

三、實驗過程與數據

實驗中，原料經預處理及精確給料控制，進入粉碎腔后在超音速氣流作用下發生高頻碰撞與摩擦。在30分鐘連續運行下，最終經歐美克激光粒度分析儀檢測：成品D50=0.83微米、D90=1.58微米的超細粉體，且粒度分布曲線呈正態分布，完全符合客戶對半導體級碳化硅的嚴苛要求。

四、結語

綿陽九方始終專注超細粉體粉碎及分級技術研發、生產、銷售、服務于一體，誠邀各行業伙伴攜手合作，共同發展！免費試驗熱線：19183680777