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PHI ADEPT 1010
簡介
動態(tài)二次離子質譜儀（D-SIMS）是使用一次離子束（通常是Cs源）轟擊樣品表面，而產生二次離子，然后用質譜分析儀分析二次離子的質荷比（m/q），從而得知元素在樣品中的深度分布，是分析半導體摻雜和離子注入的強有力的工具。
優(yōu)勢
ULVAC-PHI **設計的四極桿-二次離子質譜儀ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基礎上，改善了離子光學系統，是在一次離子能量低至250eV時，仍保持有效的濺射束流的動態(tài)二次離子質譜系統（D-SIMS）。
特點
大束流低能量離子槍設計，極大的提高了深度分辨率
高性能離子光學系統，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度
高精度全自動5軸樣品操控臺
不同方向進入檢測器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測
應用實例分析
采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H檢測限值7.1X1016 atm/cm3，O檢測限值4.4X1015 atm/cm3，C檢測限值2.0X1015 atm/cm3。
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