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現象描述：
樣品在電鏡中長時間成像，或進行EDX成分分析過程中，可能會在測試區域形成“黑色方框”，這通常是由聚合物碳沉積引起。
成因分析：
當高能電子撞擊樣品表面時，它們產生大量低能二次電子（SE）。SE由于其較低的速度而與環境污染物氣體分子具有高得多的相互作用面。它們分解有機污染，并在成像區域周圍造成“碳沉積”（碳氫化合物或烴）。當表面被薄層烴覆蓋時，二次電子產率將降低。
負面影響：
由于積碳影響，電子暴光區域將比周圍的未曝光區域更暗，減少了電子顯微鏡圖像中的材料對比度。研究表明，導電性越好，二次電子產額越高的樣品，其發生碳沉積也越快。原因在于，對于這類觀察樣品，表面碰撞出SE越多，所以導致相互作用在表面生成的烴也越多越快。甚至隨碳積影響，表面會累積電荷導致無法清晰成像。更有甚者，碳氫化合物污染嚴重的時候，可能會導致電子光學成像部件及探測器等污染，使電子束及成像漂移。
RPS50 SEM掃描電鏡原位等離子清洗儀適用于SEM或FIB等電鏡腔體內碳氫化合物的清洗及樣品積碳清洗。采用遠程RF射頻離子源清洗，高效、低等離子體轟擊損傷。核心部件采用國際一流品牌，保證設備具有優異的質量與穩定可靠性。
RF射頻離子源通入氧氣后產生的等離子體被電磁場束縛于離子源內部， O活性自由基與SEM腔室內碳氫化合物反應生成CO2，CO及H2O等被真空機組抽走，*終實現SEM腔室/樣品積碳清洗之目的，同時提高SEM成像分辨率及襯度，縮短電鏡抽真空時間。
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