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EMPro-PV用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系數k。
EMPro-PV融合多項量拓科技**技術,采用一體化樣品臺技術,兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品,并實現二者的輕松轉換。一鍵式多線程操作軟件,使得儀器操作簡單安全。
EMPro-PV也可用于測量光滑平面基底上鍍的納米單層膜或雙層膜,包括膜層的厚度,以及在632.8nm下的折射率n和消光系數k。也可用于測量塊狀材料(包括,液體、金屬、半導體、介質等)在632.8nm下的折射率n和消光系數k。應用領域包括半導體、微電子、平板顯示等。
| 項目 | 技術指標 |
| 儀器型號 | EMPro-PV |
| 版本號 | 31 |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復性(1) | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 0.03nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 折射率精度(1) | 1x10-4 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 3x10-4 (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 單次測量時間 | 與測量設置相關,典型0.6s |
| 結構 | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
| 激光光束直徑 | 1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調節,步進5° |
| 樣品方位調整 | 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品; |
| 可測量156*156mm電池樣品上每個點 | |
| Z軸高度調節:±6.5mm | |
| 二維俯仰調節:±4° | |
| 樣品對準:光學自準直顯微和望遠對準系統 | |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
| 兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 | |
| **的膜層測量范圍 | 粗糙表面樣品:與絨面物理結構及材料性質相關 |
| 光滑平面樣品:透明薄膜可達4000nm,吸收薄膜與材料性質相關 | |
| **外形尺寸(長x寬x高) | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量(凈重) | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調節平移臺 |
| 真空吸附泵 | |
| 軟件 | ETEM軟件: |
| l 中英文界面可選 | |
| l 太陽能電池樣品預設項目供快捷操作使用 | |
| l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合 | |
| l 方便的數據顯示、編輯和輸出 | |
| l 豐富的模型和材料數據庫支持 |
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