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SiC外延爐
SiC外延爐

參考價格

面議

型號

SiC外延爐

品牌

電子科技

產地

湖南

樣本

暫無
中國電子科技集團公司第四十八研究所

高級會員

|

第1年

|

生產商

工商已核實

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核心參數
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結氣氛:

    其他
  • 溫控精度:

    ±1℃
  • 最高溫度:

    1700℃
  • 額定溫度:

    -
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      1.晶片尺寸:4”~6”;
  2.**溫度:1700℃;
  3.控溫精度:±1℃;
  4.極限真空:優于3Pa;
  5.壓力穩定性:100~1000mbar;
  6.反應室漏氣率:1E-10Pa·m3/S
  7.工藝氣體:SiH4、C3H8、N2、TMAl ;
  8.載氣:Ar、H2 。

      1.內置式電磁感應加熱,升降溫速度快
  2.基片氣浮行星旋轉運動,溫度、外延膜均勻性好
  3.三層水平層流送氣,氣流均勻性好
  4.噴淋頭水冷,預反應小
  5.手套箱裝取片 ,反應室內潔凈度高

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產品質量

10分

售后服務

10分

易用性

10分

性價比

10分
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