額定溫度：
800非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
其他燒結氣氛：
其他溫控精度：
≤±2℃最高溫度：
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粵升設備融合二十余年的SiC晶體工藝經驗打造，給您提供高質量，低成本的SiC單晶。
設備名稱:液相法SiC單晶爐
規格參數
設備型號:YS-C08S01
設備尺寸:L1800xW1400xH3750mm
適用工藝:LPE法(兼容PVT法)
長晶尺寸:6吋兼容8吋
籽晶/坩堝升降行程:200mm
籽晶/坩堝旋轉速度范圍:0-180rpm
**加熱溫度:800~2200℃C
設備特點
·液相法SiC長晶特點
·生長的晶體質量高，缺陷少，沒有微管類缺陷，晶體應力低，
·可生長n型、p型SiC單晶晶錠，也可生長3C-SiC
·生長過程對溫場影響小，工藝穩定性好
·不需預合成SiC粉原料，生長成本低
·生長溫度低，能耗低。
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