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其他金屬電熱元件：
其他燒結氣氛：
氧氣溫控精度：
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一、設備概述：
臥式氧化爐設備可應用于集成電路、分立器件、 POWER、 MEMS等多種領域，適用于4-8英寸晶圓芯片的氧化、擴散、GPP、退火、合金等工藝。
氧化工藝是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面形成氧化膜的過程，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結構的介質層等
二、設備參數類型：
設備性能指標 | ||
1 | 操作方式 | 根據客戶操作可定左/右手操作 |
2 | 管路數 | 1-5管 |
3 | 加工晶圓尺寸 | 4-8寸 |
4 | 適用工藝 | 擴散（磷擴、硼擴）、氧化（干氧、合成）、玻璃鈍化（GPP）、退火、合金、鋁預沉積 |
5 | 工藝指標 | 氧化膜厚均勻性（膜厚5000?） IW≤2%，W2W≤3%，R2R/D2D≤3% |
6 | 溫度校準功能 | 具有自動校準溫區功能，具有預先寫入偏差值快速拉溫區功能 |
7 | 控溫模式 | Spike控溫+Profile串級控溫 |
8 | 控制系統結構 | 一體工控機+PLC |
9 | 報警保護: | 具有超溫報警，斷偶報警，氣體互鎖，氣體緩啟動等功能 |
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