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碳化硅外延P-Type
碳化硅外延P-Type

參考價格

面議

型號

碳化硅外延P-Type

品牌

晶沐光電

產地

江蘇

樣本

暫無
江陰晶沐光電新材料有限公司

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介紹:碳化硅(SiC)外延P型是通過在SiC襯底上生長摻雜受主雜質(如鋁或硼)的外延層實現的,具有寬禁帶、高導熱性和高擊穿電場等特性。

?

應用:應用于功率電子(高效電源轉換器、電動汽車和工業電機驅動)、高溫器件、IGBT(電動汽車和電力系統)、BJT(高功率放大和開關應用)和射頻器件(5G基站和雷達)等領域有廣泛應用,特別適合高功率、高頻和高溫環境。

產品規格書


??

碳化硅P型外延襯底(2~8inch)

襯底直徑

2英寸-50.8mm

4英寸-100mm

6英寸-150mm

8英寸-200mm

碳化硅襯底厚度

350μm

350μm

350μm

500μm

碳化硅襯底晶向

Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5°

碳化硅襯底電阻率

0.014~0.028 Ω?cm


外延導電類型

P-type

摻雜元素

Al-doping

外延層厚度

<5 um

外延層厚度均勻性

≤6%

外延層表面

RMS<1nm

外延結構圖


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產品質量

10分

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10分

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