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原材料: T2/C1100
結構: Hat (dimple);Forged; Stiffener Ring
成型工藝:沖壓/CNC
平面度:<0.05
粗糙度:外觀面Ra0.2-0.6;粘接面Ra2.0以上
性能參數: 熱導率401(W/mK)25℃℃，線膨脹系數17.7(CTEppm/°C)，密度9.0(g/cm'鍍層處理: 化學鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度2-10um
鹽霧時間: 48hrs
高溫考核:270°C30min
應用封裝:用于個人計算機的和服務器的CPU封裝，汽車設備的SOC/FPGA封裝，通信設備的處理器封裝，游戲系統處理器和圖像處理器以及人工智能處理
醤等封裝
材料特性:熱導率高、價格便宜、成型容易，可做多種結構設計，可大批量生產
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