重現性:
/儀器原理:
靜態容量法分散方式:
/測量時間:
/測量范圍:
/誤差率:
/分辨率:
/看了瓦斯吸附儀的用戶又看了
虛擬號將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號
測試方法:靜態容量法,高溫高壓氣體吸附
※主機功能: -196℃至500℃區間可選任意溫度的吸附及脫附等溫線測定,吉布斯超臨界吸附測定, PCT等溫線測定,TPD程序升溫脫附,吸附及脫附速率測定(提供實際檢測數據報告說明);
※數據處理:Langmuir模型回歸等溫線,Langmuir**吸附常數L及吸附壓力常數B參量測定;Langmuir修正模型Loading-ratio Correlation(LCR)等溫線回歸;三參數Langmuir等溫線回歸;軟件集成不同壓力及不同溫度下,常用吸附氣體密度及氣液相平衡高精度計算功能(提供實際檢測數據報告說明);
※測定范圍:可進行常壓至**200Bar壓力范圍內連續吸附及脫附測定
測量精度:重復性誤差小于3%
溫度范圍: 從-196℃到500℃,控溫精度0.1℃
※防護措施:外部配置有防護門(提供儀器實物圖片說明),徹底杜絕了因高溫而對實驗操作人員造成的傷害;更為重要的是非常有效減少了因外界氣流變化而對測試實驗的影響,大大提升了儀器的測試穩定性和精度;
控制系統:采用進口VCR接口高壓氣動閥,可實現200Bar壓力范圍內的自動通斷控制,密封性能達1x10-10Pa.m3/s,使用壽命達500百萬次;采用可編程控制器控制系統,高集成度和抗干擾能力,提高儀器穩定性和使用壽命
測試操控:通過測試軟件界面設定相關參量,實現完全自動化無人值守式運行,可實現夜間自動測試; H-Sorb模式可按需精確控制充氣壓力點,獲得理想數據點
管路系統:進口316L不銹鋼厚壁管路,微焊工藝的主管路密封連接,可有效降低死體積空間,提高測試精度;全金屬VCR連接,可實現安全可靠,便于安裝或拆卸的管路快速連接
安全措施:**的H-Sorb模式漸進式充氣和排氣技術,可實現自動化充氣和排氣,安全可靠,消除人為操作高壓氣體可能帶來的危險,并可減少大壓差對壓力傳感器的沖擊可能帶來的損害
※樣品數量:同時進行2樣品分析及2樣品脫氣處理,全金屬不銹鋼微焊樣品管,軟件集成溫度PID調節功能
樣品處理:樣品處理的全過程通過軟件來自動控制,包括溫度、時間及真空泵啟停,并且具備處理開始時間的預設功能,可實現夜間無人值守式測試和處理樣品,大大提高工作效率
※恒溫裝置:采用進口4升大容量不銹鋼內膽杜瓦瓶提供低溫恒溫浴,相比玻璃瓦瓶優點為:經久耐用,不易破損
壓力精度:進口
測試方法:靜態容量法,高溫高壓氣體吸附
※主機功能: -196℃至500℃區間可選任意溫度的吸附及脫附等溫線測定,吉布斯超臨界吸附測定, PCT等溫線測定,TPD程序升溫脫附,吸附及脫附速率測定(提供實際檢測數據報告說明);
※數據處理:Langmuir模型回歸等溫線,Langmuir**吸附常數L及吸附壓力常數B參量測定;Langmuir修正模型Loading-ratio Correlation(LCR)等溫線回歸;三參數Langmuir等溫線回歸;軟件集成不同壓力及不同溫度下,常用吸附氣體密度及氣液相平衡高精度計算功能(提供實際檢測數據報告說明);
※測定范圍:可進行常壓至**200Bar壓力范圍內連續吸附及脫附測定
測量精度:重復性誤差小于3%
溫度范圍: 從-196℃到500℃,控溫精度0.1℃
※防護措施:外部配置有防護門(提供儀器實物圖片說明),徹底杜絕了因高溫而對實驗操作人員造成的傷害;更為重要的是非常有效減少了因外界氣流變化而對測試實驗的影響,大大提升了儀器的測試穩定性和精度;
控制系統:
暫無數據!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應用的藥物輔料,因為具有良好的抗粘性、增流性和潤滑性在制劑生產中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點,被廣泛應用于電子工業、汽車工業、紡織、化工、航空航天等國民經濟的各個領域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結構,是掃描電鏡重要的應用領
2022-09-27
8月21-24日,由國儀量子主辦的“第一屆高壓儲氫吸附儀用戶進階培訓班”在合肥量子科儀谷成功舉辦。此次培訓班聚焦高壓儲氫吸附儀的進階應用與技術實踐,吸引了來自全國氫能科研機構、產業企業及高校的二十余位
醫工院已利用國儀電鏡產出多篇高水平論文,它不僅僅是觀測工具,更為醫工院的產學研轉化按下了加速鍵?!獙幉ù髮W智能醫學與生物醫學工程研究院 副院長 邵磊01寧波大學醫工院:醫工交叉,融合創新寧
近日,中國科學院上海微系統與信息技術研究所王浩敏團隊使用國儀量子掃描NV探針顯微鏡(SNVM)在zGNRs磁性研究中取得重要進展。團隊基于前期研究積累,通過金屬粒子預刻蝕六方氮化硼(hBN)得到取向的
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構建晶體管關鍵結構的重要環節。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術成為確保信號傳輸與芯片功能實現的關鍵環節。在芯片工作時,Al 互連導線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應用報告一、背景介紹在半導體芯片制造領域,芯片鈍化層扮演著至關重要的角色。它作為芯片的 “防護鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環境中的濕氣、雜質以及機械應力等不利