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4H-SiC襯底

推薦液相法!P型4H-SiC單晶制備的關鍵路徑

中國粉體網訊 作為新能源汽車、光伏和5G通訊等戰略性半導體材料,碳化硅晶體在推動綠色、低碳、高效新型產業發展的重要性可見一斑。相比Si基器件,SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉化效率高、體積小和重量輕等優點。目前,[更多]

資訊 SiC器件第三代半導體3C-SiC4H-SiC襯底李輝
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