推薦氮化鋁：半導體領域一直在“征服”的材料

中國粉體網(wǎng)訊 氮化鋁屬于典型的第三代半導體材料，它具有特寬禁帶和非常大的激子束縛能，其中禁帶寬度為6.2eV，屬于直接帶隙半導體。由于氮化鋁具有多種突出的優(yōu)異物理性能，如高的擊穿場強、熱導率、電阻率等，在半導體領域中一直備受[更多]