推薦垂直型GaN-on-GaN器件的興起與未來

中國粉體網訊 氮化鎵（GaN）作為第三代寬禁帶半導體的代表之一，擁有寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高電子漂移速率等優點。制備出的氮化鎵器件導通電阻小、電子遷移率高、熱導性好，而且在散熱、能耗、體積等方面也有著很大的優勢，不僅[更多]