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SiC長晶爐

推薦科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

中國粉體網訊 6月17日,科友半導體宣布,以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破,達到32.146mm,業(yè)內領先。此外,其自主研發(fā)的SiC長晶爐(感應)已有99%的部件實現(xiàn)國產替代。據(jù)悉,科友半導體從201[更多]

資訊 半導體陶瓷碳化硅襯底碳化硅單晶科友半導體SiC長晶爐
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