推薦北大排列高密度半導體碳納米管 電子學性能超同尺寸硅基器件

中國粉體網訊 集成電路的發展要求互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管在持續縮減尺寸的同時提升性能，降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術節點，采用新結構或新材料對抗場效應晶體管中的短溝道效應、進一步提升器[更多]