推薦北京大學采用化合積電高質量氮化鋁薄膜破解GaN-on-Si制備難題

中國粉體網訊 憑借高功率、高頻工作環境下的優良性能，氮化鎵（GaN）正在快速崛起，無論是在功率，還是射頻應用領域。由于大尺寸硅（Si）基板具備低成本優勢，且對現有CMOS工藝兼容，使得硅基氮化鎵（GaN-on-Si）成為市場[更多]