推薦陳小龍團(tuán)隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破性進(jìn)展

中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移[更多]