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線鋸切割

推薦SiC單晶片切不好,后面都“白扯”

中國粉體網訊 在碳化硅產業鏈中,由于襯底占器件總成本的47%,因此降低晶體缺陷,提升襯底良率是助推實現碳化硅大規模產業化應用的主要途徑,良率提升重點在于晶體生長與切割環節。目前行業內主要以高純碳粉、高純硅粉為原料合成碳化硅粉[更多]

資訊 第三代半導體碳化硅單晶碳化硅切割技術線鋸切割激光切割
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