推薦碳化硅單晶生長：邁向大尺寸、高質(zhì)量的征途

中國粉體網(wǎng)訊 目前，用于SiC晶體生長的主要技術(shù)包括物理氣相輸運（PVT）法、高溫化學(xué)氣相沉積（ HTCVD）法，以及頂部籽晶溶液生長（TSSG）法。其中，PVT法作為現(xiàn)階段發(fā)展最為成熟、應(yīng)用最廣且商業(yè)化程度最高的SiC單晶[更多]