推薦我國首顆6英寸氧化鎵單晶誕生

中國粉體網訊 近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。氧化鎵擁有超寬帶隙（4.2-4.9eV）、超高臨界擊穿場強（8MV/cm）、超強透明導電性等優異物理性能，導通特性約為碳化硅的10倍，理[更多]