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氧終端本征金剛石

推薦超低阻歐姆接觸!金剛石半導體器件重大突破!

中國粉體網(wǎng)訊近日,哈工大紅外薄膜與晶體團隊創(chuàng)新提出過渡金屬(TMs)金屬化方法,首次在絕緣的氧終端本征金剛石(OTD)表面制備出了有效歐姆接觸,10-8Ωcm2級別極低比接觸電阻打破了金剛石器件領域近三十年的記錄。相關成果以[更多]

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